رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TSM650P02CX RFG
Product Overview
المُصنّع:
Taiwan Semiconductor Corporation
رقم الجزء DiGi Electronics:
TSM650P02CX RFG-DG
وصف:
MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 4.1A (Tc) 1.56W (Tc) Surface Mount SOT-23
المخزون:
70113 قطع جديدة أصلية في المخزون
12899597
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TSM650P02CX RFG المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Taiwan Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.1A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.8V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
65mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
800mV @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
5.1 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
515 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.56W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
TSM650
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
TSM650P02CX RFGCT
TSM650P02CXRFGCT
TSM650P02CX RFGDKR
TSM650P02CXRFGTR
TSM650P02CXRFGDKR
TSM650P02CX RFGCT-DG
TSM650P02CX RFGDKR-DG
TSM650P02CX RFGTR
TSM650P02CX RFGTR-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TSM600P03CS RLG
MOSFET P-CHANNEL 30V 4.7A 8SOP
DMG2305UX-13
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
DMP2035UVT-13
MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
